삼성전자가 50나노 이하의 모든 메모리 반도체에 적용할 수 있는 신(新) 소자기술을 개발했다.
삼성전자는 19일 트랜지스터를 입체화 시켜 여러 개의 데이터 이동통로(채널)를 만들어 주는 차세대 반도체 소자기술을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발한 기술은 ‘다층채널 기술’과 ‘돌기형 기술’등 최첨단 3차원 입체 트랜지스터 기술이다. 이 중 다층채널 기술은 실리콘과 게이트를 번갈아 두 번 쌓아 1개의 트랜지스터에 채널 4개를 형성할 수 있으며, 4mA(밀리암페어) 이상의 전류흐름이 가능해 향후 50나노 이하의 메모리 반도체에도 적용이 가능할 전망이다. 또 돌기형 기술은 돌기 형태로 된 트랜지스터로 전류가 흐르는 면적을 넓혀 채널 수를 증가시키게 된다.
삼성전자 관계자는 “이 기술을 적용할 경우 50나노 이하의 메모리 반도체에서 데이터 전송속도가 3배정도 빨라지게 된다”고 설명했다. 또 “이 두 기술은 1차원의 트랜지스터에 비해 누설전류 역시 대폭 감소시켜 반도체의 전력소모를 최소화 할 수 있다”고 덧붙였다.
삼성전자는 이 두 가지 신기술의 개발과 함께 업계최초로 ‘돌기형 트랜지스터 기술’을 적용한 512메가비트 D램 샘플도 확보, 향후 나노시대 반도체 소자기술 분야에서도 한 발 앞서 나갈 수 있는 발판을 마련했다고 밝혔다.
