하이닉스 3중셀 낸드 개발
세계 최초로… 일간지 200년치 정보 저장 가능
홍재원기자 jwhong@sed.co.kr
하이닉스반도체는 3일 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32Gb 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다.
3중셀 기술은 하나의 셀에 세 개의 데이터를 담을 수 있는 기술이다. 기존의 기술은 하나의 셀에 하나의 정보를 담는 SLC와 한 셀에 두 개의 정보를 담는 MLC만 있었다.
3중셀을 적용한 낸드는 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 하이닉스는 이번 기술로 반도체 메모리 용량을 높이고 원가를 크게 절감할 수 있게 됐다. 이 제품은 특히 8개로 묶인 하나의 상용 칩 패키지로 구성돼 32GB까지 메모리 용량을 구현해 DVD 화질급 영화 20편, 일간지 200년치에 해당하는 방대한 정보를 저장할 수 있다.
하이닉스의 한 관계자는 “이 기술을 기반으로 그동안 16Gb 양산에 한정 적용됐던 48나노 공정 기술을 32Gb 제품까지 확대해 오는 10월부터 양산할 것”이라고 밝혔다.
낸드플래시는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보가 그대로 보존되며 디지털TV, 휴대폰 단말기, MP3 플레이어, 차량 내비게이션 등에 활용되고 있다.
