삼성전자가 업계 최초로 세계적인 칩셋 업체인 타이완 SiS사로부터 DDR2 667 제품 인증을 획득, 차세대 고성능 D램시장 공략을 본격화한다.
삼성전자는 2일 ▦256메가비트 DDR 667 단품 ▦256메가비트 단품 8개를 탑재한 256메가바이트 모듈 ▦256메가비트 단품 16개를 내장한 512메가바이트 모듈 등 총 3개 제품에 대해 인증을 받아 본격 양산에 돌입한다고 밝혔다.
DDR2 D램은 DDR과 비교해 한 번의 동기신호에 두 번 동작한다는 점에서 동작방식은 같지만 동작속도, 동작전압, 제품규격 면에서 한층 개선된 고성능 제품이다. DDR2 667은 현존 DDR 제품 중 속도가 빨라(초당 한글 4,100만자, 단행본 140권의 대용량 데이터 처리) 차세대 D램 시장의 주력 제품으로 떠오르고 있다.
삼성전자는 이번에 인증 받은 DDR2 667 제품을 0.1㎛ 공정에서 본격 양산, 차세대 프리미엄 D램 시장을 선점한다는 계획이다.
삼성전자는 이와 함께 DDR2 667 등 고성능 D램이 장착되는 시스템의 안정화를 위해 ‘세계반도체표준기구(JEDEC)’에 새로운 DDR2 667 모듈 규격인 ‘대칭형 모듈’을 독자적으로 제안, 올 6월에 국제 표준모듈로 공식 채택될 것으로 예상된다고 밝혔다.
