경제·금융

삼성전자 「꿈의 메모리」 F램 개발

◎D램·S램·플래시형 반도체 장점 결합/고용량·초고속… 정전돼도 데이터 안지워져설계하기 쉽고 고용량의 D램, 속도가 빠른 S램, 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래시메모리등 모든 메모리반도체의 장점을 하나로 모은 「꿈의 메모리」로 불리는 반도체가 국내기술로 개발됐다. 삼성전자는 24일 삼성종합기술원과 공동으로 1T/1C(1개의 트랜지스터와 1개의 콘덴서)셀구조의 64K강유전체메모리(FRAM)를 개발하는데 성공했다고 발표했다. F램은 정보를 기억시키는 소자인 커패시터에 강유전물질을 사용함으로써 D램과 같은 수준의 데이터를 처리할수 있을 뿐만 아니라 플래시메모리와 같이 전원공급이 끊어져도 기록된 데이터를 상실하지 않는 장점을 갖고 있다. 또한 D램과 같이 일정시간마다 데이터를 보전하기 위해 전원을 공급할 필요가 없어 전력소모도 줄일수 있다고 삼성전자측은 설명했다. F램은 미국의 램트론사가 상품화에 성공해 현재 64K제품을 판매하고 있으나 이 제품은 셀구조가 2T/2C로 고집적화가 어려우나 삼성이 개발한 제품은 1T/1C구조로 D램의 셀구조와 똑같기 때문에 소자면적을 50% 줄이고 칩내의 배선을 2중라인으로 설계해 데이터처리속도를 매우 빠르게했다. 이 램은 현재 차량이 주행하는 상태에서 도로요금을 자동으로 징수하는 시스템을 비롯해 게임기, 스마트카드 등에 쓰이고 있으나 앞으로는 휴대형정보기기나 멀티미디어기기등 광범위하게 사용될 전망이며 오는 2000년 이후에는 D램시장을 대체해 나갈 것으로 예상되고 있다.<김희중>

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