산업자원부는 반도체조명용 백색 LED(발광다이오드) 제작에 응용되는 3mW(밀리와트)급 380nm(나노미터) 자외선 LED 칩이 한국광기술원 연구진에 의해 국내 최초로 개발됐다고 7일 밝혔다.
이번에 개발된 자외선 LED의 성능은 세계 최고 기술을 보유한 일본 업체의 상용LED와 비슷한 출력을 갖고 있어 위폐감지기 등에 활용이 가능하다.
또한 20mW급 380nm 자외선 LED 개발이 완료되는 2008년에는 반도체 조명산업과의료.환경산업 등에 활용돼 연 10억달러 이상의 수입대체 효과를 가져올 것으로 기대되고 있다.
자외선 LED는 400nm 미만의 파장을 갖는 질화물계 재료를 이용한 발광다이오드로 위폐감지기, 살균기, 공기 및 수질 정화기, DNA 검출기 등 의료.환경.바이오산업에 활용이 가능한 미래 유망제품이라고 산자부는 밝혔다.
자외선 LED는 알루미늄 첨가에 따른 양자효율 저하와 소자 내부의 광흡수 손실을 줄이기 위한 박막성장법이 핵심 기술로, 현재 세계적으로도 개발이 미진한 상황이다.
국내에서는 삼성종합기술원과 LG전자기술원, 에피밸리 등이 백색 조명용 405nm청자색 LED를 개발중이나 400nm 이하의 자외선 LED 개발은 처음이다.
이번 자외선 LED는 한국광기술원 LED사업단 백종협박사팀이 산자부의 지역산업중기거점 기술개발 사업비를 지원받아 개발에 성공했으며 개발과 관련한 특허 3건이출원됐고 6개의 특허가 출원 신청중이다.
