 | | 20나노 8기가비트(Gb) LPDDR4 기반 4GB 모바일 D램 사진제공=삼성전자 |
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삼성전자는 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4 모바일 D램을 세계 최초로 양산한다고 23일 밝혔다. 20나노 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 1GB(기가바이트, 1GB = 8Gb) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4GB를 구성할 수 있다. 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다. 8Gb LPDDR4는 삼성전자가 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술을 적용해 일반 PC D램보다 2배 빠른 데이터 처리속도(3,200Mb/s)를 구현했다. 이로써 UHD급 동영상 촬영은 물론 2,000만 화소 이상의 초고화질 사진 연속촬영도 가능해졌다. 4GB LPDDR4 모바일 D램은 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2015에서 혁신상을 받는다. 모바일 D램으로 3년 연속 CES 혁신상을 수상한 반도체 기업은 삼성전자뿐이다. 삼성전자는 업계에서 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용·모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있으며 앞으로 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 높여갈 계획이다. 최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 되었다”며, “향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것”이라고 말했다. SEN TV 보도팀
