하이닉스반도체가 지난해 세계 최초로 개발한 차세대 고성능 메모리 반도체인 1기가 DDR2 SD램 제품이 미국 인텔사로부터 제품인증을 획득했다고 2일 밝혔다.
이 제품은 1기가 DDR2 SD램 533MHz 단품 1종과 400MHz 단품 2종 등 3종으로 골든칩(0.11미크론) 기술을 적용하여 1.8V의 동작전압에서 533MHz및 400MHz의 동작속도를 구현할 수 있다.
하이닉스 관계자는 “512메가에 이어 1기가 DDR2 SD램 제품이 인텔인증을 받으면서 고부가가치 제품인 초고속 DDR제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 됐다”면서 “인텔사의 칩셋이 본격적으로 출시되는 2ㆍ4분기부터 본격양산에 들어갈 계획”이라고 말했다. 하이닉스는 DDR500 및 DDR2 등 차세대 DDR 시장에 대한 연구개발을 강화해 메모리반도체 부분에서 세계 최고기술을 확보할 계획이다.
<최인철기자 michel@sed.co.kr>
