D램 반도체시장이 초고속 제품 위주로 급속하게 재편될 전망이다.
20일 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스반도체의 주력 수출제품인 256메가 DDR D램이 기존의 DDR266에서 고속제품인 DDR400 중심으로 빠르게 옮아갈 것으로 분석됐다.
이 같은 분석은 삼성전자와 하이닉스가 이날 미국의 인텔로부터 DDR400에 대한 공식인증을 획득한데 따른 것이다.
삼성전자 관계자는 “인텔은 현재 펜티엄4의 고속화를 추진중인데, DDR400이 이를 최적화할 수 있는 제품”이라며 “이번 인증 부여는 인텔이 올해 주력 D램 제품으로 DDR400을 선택했다는 뜻으로 풀이할 수 있다”고 설명했다.
하이닉스 관계자는 “DDR400 제품은 올 4ㆍ4분기까지 전체 DDR 시장의 30%를 차지하고, 하반기에는 일반 데스크탑 PC에 채용되는 초고속 메모리의 50% 이상이 DDR400으로 교체될 것으로 보인다”고 말했다.
삼성전자와 하이닉스의 이번 DDR400 인증획득으로 D램시장의 초고속화가 한층 앞당겨질 전망이다.
삼성전자는 시장판도가 DDR400 중심으로 빠르게 재편 될 것으로 보고, DDR400의 생산량을 크게 늘리는 한편, 올해 2ㆍ4분기 중에 DDR400을 탑재할 수 있는 `스프링데일 칩셋`을 출시할 예정이다. 하이닉스도 DDR400의 생산을 확대하고, 차세대 DDRⅡ 개발에 박차를 가할 계획이다.
D램의 고속화는 최근 가격하락세를 보이고 있는 D램값 회복에도 청신호로 받아들여진다. DDR400의 생산확대는 자연스럽게 기존 주력제품인 DDR266 제품의 생산물량 축소로 이어져, 시장의 공급과잉을 완화할 수 있을 것으로 기대되기 때문이다.
한편, 이날 삼성전자는
▲256메가 단품 2종
▲256메가바이트 모듈 2종
▲512메가바이트 모듈 3종 등 모두 7개 품목에 대해, 하이닉스는 초고속 256메가(32Mx8) DDR SD램 단품 및 모듈에 대해 인텔의 성능검사를 마치고 공식인증을 획득했다고 각각 발표했다. DDR400 제품은 현재 시장주도 제품인 DDR266 보다 데이터 처리속도가 50% 이상 향상된 고속제품이다.
<문성진기자 hnsj@sed.co.kr>
