[앵커]
삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4기가바이트(GB) HD램’을 본격 양산합니다. 조주희기자가 전해드립니다.
[기자]
삼성전자가 4기가바이트 HBM2 D램 양산에 돌입했습니다. 이 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송합니다.
현재 개발된 D램중 가장 빠른 4기가비트(Gb) GDDR5와 비교했을 때 7배 이상 많은 데이터를 처리하는 속도입니다. 와트당 데이터 전송량은 2배 높여 전력소모도 크게 줄였습니다.
앞서 삼성전자는 지난해 10월 ‘128GB DDR4 D램 모듈’ 양산에 성공했습니다. 이어 두달만에 HBM2 D램 양산에 나서면서 차세대 그래픽 D램 시장을 선점한 것으로 평가받고 있습니다. HBM2 D램을 그래픽카드에 탑재할 경우 평면에 D램을 배열해야 하는 GDDR5과 비교해 면적을 95% 이상 줄일 수 있는 장점이 있습니다.
[인터뷰] 정재욱/ 삼성전자 커뮤네션팀 과장
“8Gb GDDR5를 탑재하게 되면 8개의 칩을 넓게 배열해야 하는데, 이번에 출시한 4GB HBM2 제품으로는 2개만으로도 가능해서…”
‘4기가바이트 HBM2 D램’에는 실리콘관통전극 기술을 적용했습니다. D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 자른 다음, 수백개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 통해 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술입니다.
이 기술로 D램 칩에 5,000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결해 기존의 금선을 이용한 D램 패키지보다 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 것입니다.
삼성전자는 올해 상반기중 이보다 용량을 2배 올린 8GB HBM D램도 만들 계획입니다. /서울경제TV 조주희입니다.
