삼성전자가 반도체 시장에서 후발 주자와의 초격차 전략을 유지하기 위한 승부수를 잇따라 띄우고 있다. 메모리반도체 시장에서는 다른 업체보다 1~2년 앞선 기술로 대량 생산 체제를 가동하고 있으며 시스템반도체 분야에서도 세계 최고 수준의 기술 로드맵을 내놓았다. 4차 산업혁명 시대를 맞아 ‘반도체 슈퍼사이클’에 기대감이 높아지는 가운데 공격적인 투자를 통해 반도체 왕국의 위상을 굳히겠다는 의지로 분석된다.
삼성전자는 16일 글로벌 뉴스룸을 통해 오는 5월24일 미국에서 열리는 ‘삼성파운드리포럼’에서 시스템반도체 분야 8나노와 6나노 공정 기술에 대한 구체적인 로드맵과 기술적 세부사항을 공개할 계획이라고 밝혔다. 반도체 업계에서 6나노 공정까지 기술 로드맵을 내놓은 업체는 세계 최초로, 개발에 성공할 경우 시스템반도체 분야에서도 삼성전자의 입지가 더욱 탄탄해질 것으로 전망된다.
반도체 업계에서는 미세공정이 곧 경쟁력으로 통한다. 1나노는 10억분의1m를 나타내는 단위인데 나노 단위가 낮아질수록 첨단공법을 뜻한다. 삼성 등 주요 반도체 업체 기술은 현재 10나노급까지 진화해 있다. 나노 단위가 낮아지면 같은 크기의 웨이퍼(반도체 기판)에서 더 많은 반도체를 만들 수 있고 속도·소비전력 등 반도체의 성능이 개선된다. 작고 효율적인 반도체를 만들어야 스마트폰이나 웨어러블 기기 등도 더 작고 더 얇게 만들 수 있다. 스마트폰의 두뇌역할을 하는 것이 바로 시스템반도체다.
삼성은 D램이나 낸드플래시 등 메모리반도체 시장에서는 독보적인 세계 1위 업체다. 반면 시스템반도체 시장에서는 인텔이 점유율 약 20%로 1위를 유지하는 가운데 삼성은 5위권에 머물러 있다. 파운드리(반도체 위탁생산) 시장에서도 애플 아이폰의 애플리케이션프로세서(AP)를 위탁 생산하는 TSMC가 독보적이며 삼성과 글로벌파운드리 등이 맹추격하고 있다.
삼성은 이에 따라 시스템반도체의 미세공정 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다. 삼성은 10나노 공정 기술력에 기반한 8나노 기술을, 7나노 공정 기술력에 기반한 6나노 기술에 대한 로드맵을 5월에 선보이다. 삼성은 앞서 2018년까지 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 7나노 기술을 개발하겠다고 밝혔다.
삼성은 또 올해 말 10나노 2세대 모바일 AP, 내년에는 10나노 3세대 모바일 AP를 각각 양산할 예정이라고 밝혔다. 삼성은 지난해 10월 반도체 업계 최초로 1세대(LPE) 10나노 핀펫 공정을 적용한 반도체를 양산했다. 퀄컴의 최신 모바일 AP인 ‘스냅드래곤 835’나 삼성전자의 ‘엑시노스9’가 삼성의 10나노 핀펫 공정이 적용된 제품이다.
반도체 업계에 따르면 삼성이 이달 말 공개하는 프리미엄스마트폰 ‘갤럭시S8’에 스냅드래곤 835과 엑시노스9가 탑재될 것으로 알려졌다. 윤종식 삼성전자 시스템 LSI사업부 파운드리 사업팀장(부사장)은 “삼성의 10나노 1세대 반도체는 파운드리 업계의 판을 바꾸는 게임체인저가 될 것”이라며 2세대 제품인 10나노 LPP와 3세대인 10나노 LPU에 대해 각각 올해 말, 내년 중 양산에 들어갈 계획”이라고 밝혔다.
한편 삼성은 메모리반도체 분야에서는 글로벌 1위 입지를 공고히 하기 위한 대규모 투자를 단행하고 있다. 장비 업계에 따르면 삼성은 경기 화성의 반도체 공장에 메모리반도체인 D램 신규라인을 증설하기로 하고 장비 입찰을 준비 중이다. 반도체 업계 관계자는 “반도체는 미세공정이 진행될수록 공정 수가 증가하면서 생산량이 떨어질 수 있다”며 “반도체 수요가 늘어나는 상황에서 글로벌 생산량을 맞추기 위해서는 D램 라인 증설이 불가피해 보인다”고 밝혔다.
