서울대학교 공과대학은 황철성 재료공학부 교수가 6일 강원 하이원리조트에서 열린 제25회 한국반도체학술대회에서 ‘강대원상’을 수상했다고 9일 밝혔다.
황 교수는 저항변화 메모리 분야의 연구를 통해 한국 반도체 발전에 기여한 공로를 인정받아 수상자로 결정됐다. 황 교수는 지금까지 공정 및 소자분야에서 527편의 논문을 발표했다. 그중 2010년 ‘Nat. Nanotech’에 출판한 논문은 피인용 횟수가 1,400여회를 넘었다.
강대원상은 반도체의 기초가 되는 모스펫(MOSFET)과 낸드플래시 데이터 저장 공간인 플로팅게이트(Floating Gate)를 최초로 개발한 고(故) 강대원 박사의 업적을 기리기 위해 제정됐다. 이번이 두 번째 시상이다.
황 교수는 “1회 수상자인 서울대 전기정보공학부 박병국 교수님의 뒤를 잇게 돼 매우 영광”이라고 소감을 전했다.
