SK하이닉스 직원이 반도체 생산 라인에서 장비를 점검하고 있다. SK하이닉스는 고품질·고성능 메모리 반도체 개발로 시장을 선도하고 있다. /사진제공=SK하이닉스최근 정보기술(IT) 기기 성능 향상과 통신 네트워크 발달 등 정보통신기술(ICT) 환경 고도화로 메모리 반도체 수요가 크게 증가하고 있다. 이동통신 기기의 폭발적 성장으로 모바일 D램 및 낸드플래시 제품의 채용량이 지속 증가하고 있고 빅데이터 및 데이터 센터의 성장으로 서버 D램과 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 수요 역시 급증하고 있다. 인공지능(AI), 딥러닝의 발달도 새로운 메모리 수요를 창출하며 우호적인 시장 환경을 조성하고 있다.
과거 반도체 산업은 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁요소였지만, 공정 미세화에 따른 기술개발의 난이도 증가와 투자규모 확대, 이에 따른 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대 등으로 사업환경이 변화했다. 이에 SK하이닉스는 ‘기술 혁신’을 통해 급변하는 글로벌 반도체 시장을 선도해 나간다는 방침이다.
SK하이닉스는 20나노급 D램 제품 대비 원가절감 효과가 큰 10나노 후반대(1X나노) 제품을 지난해 4·4분기부터 양산하고 있다. 올 연말이면 SK하이닉스 D램 생산에서 차지하는 비중이 3분의 1 이상 될 것으로 예상돼, 원가 절감에 크게 기여할 것으로 보인다.
이와 함께 GPU와 고성능 컴퓨터 향으로 수요가 지속적으로 늘어날 것으로 예상되는 HBM2(고대역폭 메모리) 제품도 지난해 4분기부터 본격적으로 판매를 시작했다. 속도를 향상시킨 HBM2 2세대 제품도 개발해 상반기 고객 인증, 하반기 양산 예정이다. 지난해 4월에 개발한 세계 최고 속도의 GDDR6 그래픽 D램을 통해 고품질, 고성능 그래픽 메모리 시장에 대응하고 있다. 이 제품은 인공지능과 가상현실, 자율주행차, 4K 이상의 고화질 디스플레이 지원 등 차세대 성장 산업에서 필수적인 메모리 솔루션으로 활용될 전망이다.
SK하이닉스는 지난해 1·4분기 72단 3D 낸드플래시 개발에 성공한 데 이어 3분기부터 본격 양산에 돌입했다. 이 제품은 현재 양산 중인 48단 3D 낸드보다 데이터를 저장하는 셀 적층수를 1.5배 높이고 생산성을 30% 향상했다. 칩 내부에 고속 회로 설계를 적용해 내부 동작 속도를 2배 높여 읽기와 쓰기 성능을 20% 가량 끌어올렸다.
SK하이닉스는 차질 없는 기술 개발과 양산 적용을 통해 고객 만족을 위해 노력할 것이다. 먼저 D램은 10나노 후반대 기술의 전환을 가속화할 예정이다. PC와 모바일 제품에 이어 2·4분기에는 서버와 그래픽 제품에서도 이 기술을 적용한 제품의 판매를 본격화하고 있다.
낸드는 72단 3D 낸드 제품을 적용한 UFS기반의 고용량 모바일 제품과 다양한 인터페이스, 폼 팩터를 갖춘 클라이언트 SSD 판매를 확대할 계획이다. 특히, 본격적인 엔터프라이즈 SSD 시장 진입과 관련해 PCIe기반 제품 공급을 본격화하고 있다.
