SK하이닉스 中우시 확장팹 준공...D램 경쟁력 높인다

SK하이닉스(000660)가 18일 중국 우시 확장 팹(C2F) 준공식을 개최했다. D램 공정이 미세화되면서 추가 장비가 필요해지자 SK하이닉스는 생산공간 확보를 위해 확장 팹 건설에 총 9,500억원을 투입했다. SK하이닉스는 이날 중국 우시에서 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장, 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 고객 및 협력사 대표 등 500여명이 참석한 가운데 ‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 준공식을 열었다고 밝혔다.



SK하이닉스는 2006년 중국 우시에 자사 첫 300㎜ 팹인 C2를 완공한 뒤 D램을 생산해 왔다. 하지만 공정 미세화에 따라 공정 단계가 늘어나고 장비가 커지면서 C2만으로는 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 2017년 6월부터 확장 팹을 건설하기 시작했다.

이번 확장 팹은 단층에 건축면적 5만8,000천㎡(1만7천5백평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 확장 팹의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 추가 클린룸 공사 및 장비 입고 시기는 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정하기로 했다.



강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 “이번 준공으로 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “기존 C2 공장과 ‘원 팹’으로 운영해 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화 할 것”이라고 말했다.