삼성전자의 화성캠퍼스 EUV 라인 전경 /사진제공=삼성전자메모리 반도체 세계 1위인 삼성전자(005930)가 앞으로 10년간 비메모리 반도체 육성을 위해 133조원을 투자한다고 24일 밝혔다. 오는 2030년까지 비메모리 반도체 분야에서도 글로벌 1위로 올라서는 ‘반도체 비전 2030’을 달성하기 위함이다. 특히 연구개발(R&D)에 대한 대규모 투자와 함께 국내 중소 팹리스Fabless·반도체 설계 전문업체) 업체와의 협력을 강화해 국내 비메모리 반도체 생태계 전반을 키우고 고용 창출 확대에 기여할 계획이다.
구체적으로 삼성전자는 비메모리 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조원을 투자해 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성에 나선다. 아울러 삼성전자는 기술경쟁력 강화를 위해 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5,000명을 채용할 계획이다. 삼성전자의 이 같은 계획이 실행되면 오는 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상된다.
또한 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자해 국내 설비·소재 업체를 포함한 시스템 반도체 생태계를 육성할 계획이다. 국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property·설계자산)를 지원할 방침이다. 또한 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.
특히 삼성전자는 국내 중소 팹리스 업체의 제품 제작도 적극 지원할 계획이다. 소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는데 어려움이 있었으나 삼성전자는 중소업체를 지원하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준을 완화하기로 했다. 또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영하고, 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.
아울러 삼성전자는 향후 화성캠퍼스 신규 극자외선(EUV) 라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속적으로 추진할 계획이라고 밝혔다.
