삼성전자(005930)가 이르면 올해 D램 생산공정에 처음으로 극자외선(EUV) 노광장비를 도입한다.
메모리반도체 부문에 최첨단 장비를 도입해 본격 양산에 나서면서 ‘초격차 경쟁력’을 강화할 것으로 기대된다. 특히 올해 2·4분기부터 메모리반도체 수요가 회복되면서 가격 상승세도 가팔라질 것으로 예상돼 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 전망된다.
27일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 올해 말께 EUV 노광장비를 활용해 D램 양산을 본격 시작한다.
업계에서는 삼성전자가 10나노급(1z) D램이나 1a D램부터 본격적으로 EUV 노광장비를 도입해 이르면 올해 말이나 내년 초부터 양산을 시작할 것으로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 지난해 3월 세계 최초로 1z D램을 개발하고 2019년 하반기부터 양산한다고 발표한 바 있다. 증권사의 한 연구원은 “현재 1y와 1x D램에도 EUV 노광장비를 적용해 테스트를 하고 있지만 실제 본격 적용은 올해 말 1a부터 시작될 것으로 본다”고 말했다.
삼성전자가 EUV 노광장비를 활용해 D램을 양산하게 되면 생산성이 크게 향상돼 SK하이닉스(000660)·마이크론 등 경쟁자들과 격차를 한 걸음 더 늘리게 된다. 실제 경쟁사인 마이크론과 SK하이닉스는 당분간 D램 생산에 EUV 노광장비를 도입할 계획이 없다. 마이크론은 지난해 12월 실적 발표 콘퍼런스콜에서 D램 생산에 EUV 노광장비를 도입하는 것과 관련해 “1감마 D램에서 가능할 것”이라고 밝힌 바 있다. 이는 삼성전자가 1a D램부터 EUV 노광장비를 활용한다고 감안하면 두 단계 늦은 것이다. SK하이닉스 역시 현재 D램 생산에 EUV 도입을 테스트하고 있지만 도입 시기는 삼성전자보다 늦을 것으로 보인다. 김석 SK하이닉스 마케팅담당 상무는 지난해 3·4분기 콘퍼런스콜에서 “1a D램이 2021년 초를 목표로 개발 진행 중”이라며 “1a D램급에서 EUV 노광장비가 최초로 양산에 적용될 예정”이라고 밝힌 바 있다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 3·4분기 D램 시장점유율은 삼성전자가 46.1%로 1위를 기록했으며 SK하이닉스(28.6%), 마이크론(19.9%)이 뒤를 이었다.
