중국 반도체 업체들의 기술 추격이 만만치 않다.
5일 대만 디지털 전문매체 디지타임스에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)가 올해 안에 17나노(㎚) D램을 양산할 계획이다. 창신메모리는 지난해 9월 D램 양산을 처음 공식화한 메모리반도체 기업으로 첫 제품은 19나노 수준으로 알려진 바 있다. 업계에서는 삼성전자가 지난 2017년 11월 양산을 시작한 2세대 10나노급(1y) D램을 17나노대로 추정하고 있다.
창신메모리가 올해 말 17나노 D램 양산에 돌입할 경우 삼성전자와의 기술 수준은 3년으로 좁혀지는 셈이다. 지난해 초 1y D램을 양산한 SK하이닉스와는 2년 차이다.
창신메모리는 올 4월 미국 팹리스(반도체 설계) 기업 램버스와 특허 계약을 체결하는 등 투자 규모를 꾸준히 확대하고 있다. 앞서 중국 양쯔메모리(YMTC)도 지난달 10일 자사 홈페이지를 통해 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이르면 올해 말 양산에 돌입할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난해 7월 100단 이상의 낸드 양산을 시작했고 SK하이닉스는 올 2·4분기 내 128단 낸드 양산을 목표로 하고 있다.
삼성전자가 133조원의 투자계획을 발표한 시스템 반도체 시장에서도 중국 기업이 바짝 쫓아오고 있다. 중국 시장조사업체 시노리서치는 최근 올 1·4분기 중국 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 시장에서 화웨이 산하 반도체 기업 하이실리콘이 점유율 43.9%로 1위를 기록했다고 밝혔다. 특히 지난해 1·4분기만 해도 48.1%라는 압도적인 점유율로 1위를 사수했던 미국 퀄컴을 2위로 미뤄냈다는 점에서 업계의 주목을 받고 있다. 삼성전자는 순위에도 오르지 못하고 기타(1.7%)에 포함됐다. 시노에 따르면 하이실리콘은 화웨이 스마트폰의 AP 자급률을 90%까지 끌어올렸고 5세대(5G) 통합칩 시장에서 삼성과 겨루고 있다.
지난해 상반기까지 글로벌 반도체 업계의 중국에 대한 시각은 ‘과장광고’였다. 하지만 최근 중국 반도체 기업이 잇따라 개발 성과를 발표하자 업계에서도 중국의 기술 수준에 관심을 가지기 시작했다. 지난달 29일 삼성전자 실적발표 콘퍼런스콜에서는 중국 기업의 위협에 대한 체감과 초격차 유지 전략을 묻는 질문에 삼성 측은 “단순양산 시기보다는 고객사의 수요를 만족할 수 있는 고부가제품을 얼마나 안정적으로 공급하느냐가 더 중요하다”면서도 “중국 업체의 메모리 시장 진입을 매우 중요한 모멘텀으로 본다”고 밝혔다.
