이석희 SK하이닉스 사장 “메모리 센트릭 시대, ‘3S’ 가치가 중요하다”

이석희 SK하이닉스 사장이 차세대 메모리 기술 구현을 위한 ‘3S 가치’를 제안했다. 이는 스케일링(Scaling), 소셜(Social), 스마트(Smart)의 앞글자를 딴 것이다. 그는 메모리 반도체 혁신을 위한 협력사와의 끈끈한 관계도 강조했다.

15일 이 사장은 세계반도체연합(GSA)에서 개최한 ‘2021 GSA 메모리 컨퍼런스’에서 ‘디지털 트랜스포메이션 시대에서 메모리 반도체의 역할’이라는 주제로 기조연설에 나섰다.

이 사장은 코로나19 팬데믹으로 인한 디지털 전환 가속화로 정보통신(IT) 기기에서 처리해야 할 데이터가 폭증하고 있고, 메모리 반도체의 역할도 커지고 있다고 설명했다.

이에 이 사장은 SK하이닉스가 3가지 가치(3S), △스케일링 △소셜 △스마트에 방점을 두고 차세대 메모리 시장에 대응하고 있다고 강조했다.



먼저 3S 중 스케일링은 칩 크기 축소를 말한다. 이는 속도 향상, 고집적, 전력 효율화 등 메모리 업체들이 추구해왔던 본연적 가치이기도 하다. 최근 SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) D램을 양산한 것이 좋은 예시다. SK하이닉스는 첨단 노광 공정으로 주목받는 극자외선(EUV)를 활용, 기존보다 성능은 개선하면서 칩 사이즈는 줄인 D램 양산에 성공했다.

‘소셜’은 사회적 가치다. 고성능 메모리 반도체 구현도 중요하지만 환경 문제에 도움될 수 있는 고효율 반도체 기술도 상당히 중요하다는 게 이 사장 아이디어다.



그는 최근 SK하이닉스가 개발한 LPDDR5 D램과 낸드플래시 기반 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 소개하며 반도체 기술이 환경 문제 해결에 기여할 수 있다는 사실을 보여줬다.

이 사장은 “LPDDR5 규격 D램은 과거 LPDDR2 D램 전력의 단 25%만을 필요로 한다”며 “2030년까지 하드디스크를 펜타레벨셀(PLC) 기반 SSD로 대체했을 시 이산화탄소 배출량 4100만t을 줄일 수 있다”고 주장했다. 또 그는 “환경 문제에 대응하기 위해 SK하이닉스는 176단 낸드플래시, 고대역폭메모리(HBM) 양산을 이어가고 있다”고 덧붙였다.



마지막으로 ‘스마트’ 가치는 차세대 메모리 아키텍처와 관련된 것이다.

오늘날 디지털 시대는 TV, 모바일폰, PC 등이 인공지능(AI)을 기반으로 하나로 통합 연결되면서 혁신적인 메모리 솔루션을 요구하고 있다.

그러나 로직 반도체, 메모리가 분리된 ‘폰 노이만’ 구조에서는 메모리 전력 소비량이 전체 63%를 차지할 만큼 메모리의 전력 효율성 해결이 과제로 떠오르고 있다. 그는 ‘메모리 센트릭’ 시대가 다가오는 가운데, 각종 연산 장치와 메모리가 융합된 새로운 장치로 효율성 문제에 대응해야 한다고 주장했다.



그는 포스트 폰 노이만 아키텍처의 구체적 예시로 '컴퓨팅 인 메모리(CIM)'를 들었다. 그는 중앙처리장치(CPU)와 메모리를 한 개 모듈로 패키징하는 ‘프로세스 인 메모리(PIM)’를 넘어, CPU와 메모리가 아예 한 개 다이(die) 안에서 움직이는 CIM이 차세대 메모리 아키텍처가 될 것이라고 말했다. 이 사장은 "앞으로 CPU와 메모리 융합 움직임이 가파르게 진행될 것"이라고 강조했다.

이 사장은 연설을 마무리하면서 앞으로 반도체 관련 회사들 간 협력이 상당히 중요해질 것이라고 설명했다. 반도체 기능 개선에만 집중한다면 칩 메이커와 협력사 간 수직적인 관계 형성이 효율적이지만, 3S 가치가 주목 받는 시대에서는 상호 협력을 기반으로 한 파트너십이 필수적이라는 주장이다.

이석희 사장은 “SK하이닉스는 반도체 소재·장비·시스템 회사들과 새로운 파트너십을 만들기 위해 노력 중”이라며 “이는 30년 후에도 동반성장할 수 있는 방법”이라고 강조했다.