이석희 SK하이닉스 사장이 GSA 컨퍼런스 기조연설에서 발표하고 있다.이석희(사진) SK하이닉스 사장이 차세대 메모리 기술 구현을 위한 ‘3S 가치’를 제안했다. 이는 스케일링(Scaling), 소셜(Social), 스마트(Smart)의 앞 글자를 딴 것이다. 한진만 삼성전자 부사장도 삼성전자의 차세대 메모리 기술과 공정을 소개했다.
15일 이 사장은 세계반도체연합(GSA)에서 개최한 ‘2021 GSA 메모리 콘퍼런스’에서 기조연설에 나서 이같이 밝혔다. 3S 중 스케일링은 속도 향상, 고집적, 전력 효율화를 위한 칩 크기 축소를 말한다. 최근 SK하이닉스가 극자외선(EUV)을 활용한 10나노급 4세대(1a) D램을 양산한 것이 예시다.
‘소셜’은 사회적 가치다. 고성능 메모리 반도체 구현도 중요하지만 환경문제를 해결할 수 있는 고효율 반도체 기술도 중요하다는 게 이 사장의 생각이다.
마지막으로 ‘스마트’ 가치는 차세대 메모리 아키텍처와 관련된 것이다. 이 사장은 로직 반도체와 메모리가 융합된 새로운 장치로 효율성 문제에 접근해야 한다고 주장했다.
이 사장은 연설 말미에 이러한 기술 진보를 위해 칩 메이커와 협력사 간의 끈끈한 협력도 강조했다. “SK하이닉스는 반도체 소재·장비·시스템 회사들과 새로운 파트너십을 만들기 위해 노력 중”이라고 강조했다.
한진만 삼성전자 부사장이 차세대 메모리 기술을 발표하고 있다. /사진 제공=삼성전자 뉴스룸이날 행사에서는 한진만 삼성전자 부사장도 차세대 메모리 설계 기술과 공정에 대해 발표했다. 한 부사장은 메모리와 시스템 반도체를 융합한 고대역폭-프로세싱인메모리(HBM-PIM), D램 용량 한계를 극복한 CXL D램을 소개했다. 또 그는 EUV D램, 하이K 메탈게이트(HKMG) 등 공정 기술 혁신도 언급했다.
한 부사장은 “삼성전자는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다”고 말했다.
