SK실트론의 미국 실리콘카바이드(SiC) 제조 법인인 SK실트론CSS가 지난해 미국 미시간주 배이시티에서 신규 제조 시설 개장 행사를 진행하고 있다. 사진=미시간 경제개발공사(MEDC)웨이퍼 제조 기업인 SK(034730)실트론도 미국 반도체과학법(반도체법)에 따라 대미 투자 시 미국 정부의 보조금을 받을 것으로 보인다.
산업통상자원부는 23일 미국 상무부가 반도체법상 인센티브 프로그램 중 대규모 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조 시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원 계획을 공고했다고 밝혔다. 지난해 8월 발효된 미국 반도체법은 자국 내 반도체 산업에 대한 재정 지원 527억 달러(약 70조 원)와 25%의 투자세액공제 등의 내용을 담고 있다.
미국에서 소재·장비 제조 시설에 3억 달러 이상을 투자하거나 웨이퍼 제조 시설에 투자할 경우 미국 정부가 보조금을 지급한다는 것이 핵심이다. 이에 따라 미국에서 웨이퍼를 제조하는 SK실트론이 반도체법에 따른 보조금을 받을 것으로 예상된다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰 사의 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 사업부를 인수한 뒤 매년 수천억 원의 설비투자를 집행해 왔다.
다만 미국 정부가 소재·장비 제조 시설에 3억 달러라는 투자액 기준을 명시한 반면 웨이퍼 제조 시설 관련 투자액은 별도 언급하지 않은 점이 변수다. 산업부 관계자는 “웨이퍼가 반도체 핵심 소재이긴 하지만 다른 소재와 달리 볼 여지도 있다”며 “미국 정부가 일반 소재·장비와 웨이퍼를 따로 취급한 만큼 웨이퍼 관련 투자는 3억 달러 미만이어도 보조금을 받을 수 있는 건지 조금 더 검토가 필요하다”고 설명했다.
이번에 발표된 소재·장비 제조 시설 지원 기준은 2월에 발표된 반도체 제조 시설 관련 지원 계획 기준과 같다. 이에 따라 보조금 수령 규모가 1억 5000만 달러 미만인 경우 초과이익 공유 및 보육프로그램 마련 등이 적용되지 않는다. 산업부는 “반도체 제조 설비와 달리 우리 소재·장비 기업의 대미 투자 규모가 상대적으로 크지 않은 것으로 파악하고 있다”고 전했다.
반도체법에 따른 재정 인센티브를 받으려는 국내 소재·장비 기업은 9월부터 사전 신청, 10월 23일부터 본 신청을 거쳐 재정 인센티브 지원 여부 및 규모를 미국 정부와 협의하게 된다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%를 미국 정부로부터 직접 지원받는다.
