송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장. 사진 제공=삼성전자송재혁 삼성전자(005930) 디바이스솔루션(DS) 부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 반도체 회로 분야 최고 권위 학술 대회의 기조연설자로 참석한다.
29일 업계에 따르면 송 사장은 내년 2월 16일(현지 시간)부터 20일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 ‘ISSCC 2025’에 기조연설자로 나선다. 기존 연설자는 이정배 전 삼성전자 메모리사업부장(사장)이었지만 이 전 사장이 올해 말 자리에서 물러나면서 연설자가 교체됐다.
나비드 샤리아리 인텔 파운드리 기술개발 수석부사장도 기조연설을 한다. 앞서 ISSCC 2024와 ISSCC 2023에서는 각각 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장, 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)가 기조연설을 진행한 바 있다.
송 사장은 내년 행사에서 ‘메모리 기술 혁신에 따른 AI 혁명’을 주제로 삼성전자의 메모리 기술력과 차세대 메모리 솔루션을 알릴 것으로 전망된다. 아울러 이번 행사에서 삼성전자는 400단 이상의 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 3D 낸드 플래시와 함께 4나노 플래그십 모바일 시스템온칩(SoC), 게이트올어라운드(GAA) 기반 파운드리 기술 등의 연구개발 성과를 공유할 계획이다. 지난달 321단 1Tb TLC 4D 낸드 양산 소식을 알리며 ‘300단 낸드 시대’의 포문을 열었던 SK하이닉스도 이곳에서 용량과 성능을 향상시킨 321단 2Tb 쿼드러플레벨셀(QLC) 3D 낸드 관련 기술을 소개할 것으로 보인다.
