삼성전자가 세계 최초로 60나노 공정을 적용한 1기가비트(Gb) D램을 양산하며 ‘D램 기가 시대’를 본격적으로 열었다.
삼성전자는 1일 화성 D램 생산라인에서 60나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR2 D램 양산에 들어간다고 밝혔다. 이는 지난해 3월 80나노 공정을 적용한 512Mb D램을 양산하며 80나노 D램 시대를 개막한 이후 1년도 안돼 80나노보다 2세대 앞선 60나노급1기가 D램 양산에 돌입한 것이다.
회사측은 60나노 공정이 기존 80나노 공정에 비해 40％ 이상, 현재 D램 업계의 주력 양산 공정인 90나노에 비해 두배나 생산성이 높아 삼성전자의 D램 원가 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 것으로 예상된다.
60나노 공정에 적용된 RCAT(Recess Channel Array Tr)는 D램 셀(Cell)의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작해 면적을 최소화해 집적도를 한층 높인 삼성전자의 독자기술이다.
삼성전자는 양산에 돌입한 60나노급 D램을 대용량 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능할 계획이다.
회사 관계자는 “올해 윈도 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리 용량이 512MB에서 최대 2GB까지 확대됨에 따라 1기가 D램의 시장 지배력을 확고히 다질 것”이라고 기대했다.
한편 60나노급 D램의 시장규모는 도입기인 올해 23억 달러에서 오는 2009년에 320억 달러까지 불어날 전망이다.
