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삼성전자가 D램 반도체 공정의 한계를 넘어 세계 최초로 30나노급 D램(사진) 개발에 성공했다. 삼성전자는 지난달 30나노급(1나노=1억분의1) 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했으며 올해 하반기부터 본격 양산에 들어간다고 1일 밝혔다. 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년 만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로 그동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재 생산공정에서는 40나노급 D램이 한계라고 여겨왔다. 30나노급 D램은 생산성 및 원가경쟁력을 향상하는 효과가 있으며 소비전력을 대폭 낮출 수 있다. 데이터 처리 속도도 훨씬 빨라졌다. 이에 따라 대량 양산에 들어가 노트북에 탑재될 경우 소비자들은 배터리 수명이 훨씬 길어진 제품을 저렴한 가격에 구매할 수 있게 된다. 30나노급 D램은 40나노급 D램에 비해 약 60% 생산성 향상 효과가 있으며 50~60나노급 D램에 비해 원가 경쟁력을 두 배 이상 확보할 수 있다. 삼성전자는 앞서 지난해 7월 세계 최초로 40나노급 D램 양산에 들어갔다. 또 30나노급 D램은 50나노급 D램에 비해서는 30%, 40나노급 D램 대비 15%의 소비전력을 줄일 수 있는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 40나노급 공정에 이어 30나노급 공정을 1년 만에 개발함으로써 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화할 방침이다. 조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 경쟁업체와의 제조 경쟁력 격차를 1년 이상 벌리게 됐다"면서 "이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해나갈 것"이라고 밝혔다.
