`낸드-노어간 벽을 허물어라' 차세대 캐시카우로 떠오르고 있는 플래시 메모리 시장에서 선두업체들간 주도권쟁탈전이 가열되고 있다.
특히 낸드 플래시 메모리와 노어의 장점 결합으로 기존 제품의 한계를 극복한차세대 `크로스 오버' 제품 출시가 가속도를 내는 등 `낸드 진영'과 `노어 진영'간경계 허물기 작업이 활발히 진행되고 있으며 2위 싸움도 격화되고 있다.
◆`크로스 오버' 전략으로 벽 허물기 = 18일 업계에 따르면 `낸드 진영'의 선두인 삼성전자는 최근 세계 최초로 기존 낸드형을 변형한 1기가(Gb)급 퓨전 메모리인`1기가 원낸드(OneNAND)'를 개발, 퓨전 메모리의 기가 시대를 열었다.
퓨전 메모리는 다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 칩에 집적, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어에 제공, 디지털 가전의 복합화, 고성능화 요구에 부응할 차세대 메모리 주자.
낸드는 대용량과 저장능력, 쓰기 속도가 월등해 USB드라이버, 디지털 카메라, MP3 등 휴대용 저장장치에 주로 쓰인 반면 노어형은 읽기 속도가 뛰어나 핸드폰, TV,PC 등에 주로 장착돼 왔으나 양자의 장점을 골고루 결합한 업그레이드형 `크로스 오버' 제품이 속속 등장하면서 경계선이 점점 없어지고 있는 것.
이번에 출시된 90나노 공정의 1기가 원낸드는 전반적으로 노어 대비 우수한 성능을 구현하는데다 읽기 능력면에서도 초당 108Mb로 노어와 동일한 성능을 실현하고심비안, 리눅스 등 모든 OS 지원이 가능해 향후 핸드폰에 주로 사용되는 노어 플래시를 급속히 대체할 것으로 보인다.
삼성전자는 기존 낸드 제품의 단점을 극복한 퓨전 메모리를 내세워 인텔과 스팬션 등이 장악하고 있는 노어 플래시 시장 공략을 강화한다는 전략이다.
이에 질세라 `노어 진영'의 대표주자인 스팬션은 낸드형의 장점을 접목시킨 `ORNAND'로 승부수를 띄우고 있다.
스팬션은 AMD와 후지쓰의 플래시 메모리 부문 자회사로 지난해 노어 플래시 메모리 시장에서 25.2%로 1위의 시장점유율을 기록했다.
스팬션은 내년 초 업계 최초로 90나노 기반의 1기가급 노어 제품을 출시하는 한편 하나의 메모리셀에 2비트의 데이터를 저장할 수 있는 미러 비트 기술을 기반으로노어의 코드실행과 낸드의 데이터 저장 성능을 결합한 `ORNAND'를 개발, 시장에 내놓기로 했다.
`ORNAND' 기반의 대용량 제품들은 노어형의 안정성, 읽기 속도, 가격대를 유지하면서 현 낸드형보다 최대 4배 빠른 쓰기 성능을 갖출 것이라는게 회사측 설명이다.
노어의 경우 아직까지는 512 Mb급이 최대용량이어서 용량면에서 낸드에 크게 뒤떨어지고 있다.
스팬션은 2007년까지 65나노 공정기술로 제작된 8기가급의 플래시 메모리 제품출시를 목표로 노어형의 한계 극복에 적극 나서고 있다.
이를 통해 무선 단말기 및 임베디드 중심의 시장 리더십을 메모리 카드, USB 드라이브 등 대용량 데이터 저장을 위한 메모리 부문으로 확대한다는 전략이다.
◆1위 굳히는 삼성..2위 싸움 `각축' = 시장조사 기관인 아이서플라이 등에 따르면 작년말 기준 플래시 메모리 시장 점유율은 삼성전자가 21.0%로 1위를 차지했고스팬션(15.6%), 인텔(14.8%), 도시바(14.0%) 등이 나란히 뒤를 잇고 있다.
아이서플라이에 따르면 올 3분기에는 인텔이 16.0%로 삼성전자(24.8%)에 이어 2위로 등극했고 다음으로는 도시바(14.6%), 스팬션(13.5%) 등의 순이었다.
삼성전자는 2위와의 격차를 벌리며 1위 자리를 확고히 한 반면 2위 쟁탈전은 박빙의 차이 속에 뜨겁게 달아오르고 있는 양상이다.
삼성전자, 도시바는 낸드가 주력이며 인텔, 스팬션은 대표적인 노어 진영이다.
삼성전자의 경우 올 2분기 20% 수준에 그쳤던 90나노 공정의 비중이 3분기 65%,4분기 80% 수준으로 높아진데 이어 내년 1분기에는 70나노급을 양산에 적용키로 했으며 용량 면에서도 2기가급이 전체 생산량의 50% 이상을 차지, 공정미세화에 따른생산량 확대 및 용량면에서 확고한 시장 지배력을 자신하고 있다.
인텔도 아일랜드에 20억달러를 투자, 65나노 정밀도를 지닌 첨단 300mm 팹(FAB)시설을 구축하는 한편 90나노 생산라인을 갖춘 아일랜드의 기존 팹시설에도 65나노공정기술을 적용키로 하는 등 대규모 투자를 서두르고 있다.
신형 300mm 팹은 2006년부터 양산체제에 들어갈 예정이다.
도시바는 플래시 메모리 카드 제조업체인 미국 샌드디스크(SandDisk)와 공동으로 300㎜ 플래시 메모리 공장 증설을 추진, 내년 10월부터 신규 증설 공장에서 본격적인 낸드 플래시 메모리 양산에 들어간다.
도시바의 플래시 라인 설비 증설 계획은 당초 예정보다 1년 가량 앞당겨진 것으로, 비용도 당초 예상치인 150억엔 보다 늘어난 200억엔 가량으로 전해지고 있다.
(서울=연합뉴스) 송수경기자
