낸드플래시 글로벌 증산경쟁

낸드플래시 글로벌 증산경쟁 MP3P·휴대폰·PC등 사용처 늘며 시장규모 급팽창삼성·하이닉스·도시바·인텔등 생산라인 대대적 확충 김호정 기자 gadgety@sed.co.kr '급성장하는 낸드 플래시 시장을 잡아라.' 한국과 일본·미국 등 세계 반도체 업체들이 공격적으로 낸드 플래시 생산라인 확충에 뛰어들어 글로벌 증산 경쟁을 벌이고 있다. 삼성전자와 하이닉스·도시바·인텔등은 잇따라 300㎜(12인치) 낸드플래시 생산라인을 확충하며 40·50나노미터(㎚)급 차세대 제품 양산에 돌입했다. 이에 따라 낸드 플래시 주력제품도 4기가비트(Gb)에서 8Gb로 이동하고 있으며 내년에는 16Gb 제품 이 시장을 주도할 것으로 예상된다. 지난 4월 반도체 업체들 가운데 가장 먼저 50㎚급 플래시 메모리 양산에 들어간 삼성전자는 올해 말까지주력제품을 60㎚급에서 50㎚급으로 전환할 방침이다. 2·4분기 낸드 플래시 세계시장 점유율 45.7%로 부동의 1위인 삼성전자는 지난해 9월 개발한 40㎚급32Gb 제품을 내년부터 본격 양산해 시장지배력을 한층 강화한다는 방침이다. 삼성은 현재 기흥과 화성의 9개메모리반도체 생산라인에서 D램과 낸드 플래시를 생산하고 있다. 2·4분기 삼성전자의 낸드 플래시와 D램 생산비중은 각각 39.9%와 60.1%(매출액 기준)였다. D램 생산라인을 적극적으로 낸드플래시로 전환하고 있는 하이닉스는 내년 4월 청주에 낸드 플래시 전용 M11라인을 준공할 예정이다. 하이닉스 측은 M11라인이 최초로 가동될낸드 플래시 전용 300㎜ 라인이라는 점에서 40㎚급 기술을 적용하는 등 공격적인 마케팅에 나설 방침이다. 하이닉스는 현재 M8 및 M9 라인에서 200㎜(8인치) 웨이퍼를 사용하는 낸드 플래시를 생산하고 있다. 업계의 한 관계자는 "하이닉스가 올초 20%선이었던 낸드 플래시 생산비중을 꾸준히 높이고 있다" 며 "올해 하이닉스의 낸드 플래시 생산량이 지난해의 2배 수준에 달할 것" 이라고 추정했다. 세계 2위인 도시바는 미국의 샌디스크와 합작을 맺고 지난달 일본 요카이치에 300㎜ 낸드플래시 공장을 짓고 양산채비를 갖추고 있다. 신설 공장은 56㎚공정을 채택했으며 연말까지 매달 8만장의 웨이퍼를 투입해 양산 체계를 갖출 계획이다. 도시바는 또 내년 3월43㎚ 공정을 적용한뒤 추가 투자를 통해 요카이치 공장의 월간 웨이퍼 투입규모를 21만장까지 확대할 계획이다. 2·4분기 56㎚공정 전환에 따른 생산 차질로 시장점유율을 3.3%포인트나 까먹은 도시바는 3·4분기부터 생산량을 30% 이상 늘리며 삼성전자 추격에 나섰다. 이밖에 인텔과 마이크론의 낸드 플래시 제조 합작사인 IM플래시는 올초 준공한 미국 유타주의 300㎜ 라인에서 제품 양산에 들어가 3·4분기부터 제품을 출하하기 시작한 것으로 알려졌다. 업계 관계자들은 "세계 반도체 업체들이 공격적으로 낸드 플래시 생산에 뛰어드는 것은 휴대폰·PC·TV 등으로 사용처가 확대되고 있기 때문" 이라며 "시장 주도권을 장악하기 위한 증설경쟁은 당분간 이어질것" 이라고 전망했다. 입력시간 : 2007/10/03 16:59