삼성전자 '퓨전 메모리' 차세대 성장엔진 육성
60나노 8기가 낸드플래시 세계 첫 개발
• "세계시장 성장둔화 불구 4분기도 매출 늘것"
• 업계유일 종합반도체사로 뜬다
황창규(오른쪽) 사장과 직원들이 60나노 8기가 기술이 적용된 웨이퍼와 메모리칩을 들어 보이고 있다./김동호기자
삼성전자가 20일 메모리와 비메모리를 결합한 ‘퓨전 메모리’를 차세대 성장엔진으로 선정하고 세계에서 유일한 종합반도체 회사로의 도약을 선언했다.
삼성전자는 이날 서울 신라호텔에서 개최한 기자간담회에서 “세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 8기가비트 낸드플래시 메모리와 80나노급 공정기술을 적용한 2기가 DDR2 D램 및 667㎒ 모바일CPU 개발에 성공했다”고 밝히고 이 같은 내용의 사업전략을 발표했다.
이번에 개발한 8기가 낸드플래시는 머리카락 굵기의 2,000분의 1인 60나노 기술을 적용, 고화질 영화 10편, MP3 음악 4,000곡, 신문 102만4,000장을 저장할 수 있다.
삼성전자는 60나노급 공정을 적용한 8기가비트 낸드플래시 메모리를 개발함으로써 낸드플래시의 집적도(용량)를 지난 1999년 이후 5년 연속으로 매년 두 배 이상 높이는데 성공, 황창규 반도체총괄 사장이 주창한 ‘메모리 신성장론’이 완전히 정착되고 있음을 입증했다.
또 80나노급 공정기술을 적용한 2기가 DDR2 D램과 667㎒ 모바일CPU 개발에도 성공, 반도체 분야에서 ‘세계 최대용량ㆍ세계 최고속’ 제품개발 행진을 이어갔다.
특히 설계 및 공정기술 개선만을 바탕으로 기존 80나노 기술을 적용한 2기가 DDR2 D램 개발에 성공함으로써 최소 65나노급 이하의 첨단기술을 적용해야 2기가 용량 개발이 가능하다는 업계의 통념을 깼다. 회사측은 이 제품을 내년부터 조기에 양산 할 계획이다.
황 사장은 이날 “현재 세계 1위 품목인 D램과 S램ㆍ플래시ㆍ디스플레이구동칩(DDI)에 이어 올해 멀티칩패키지(MCP)에서 1위에 오르고 2007년까지는 스마트카드칩과 모바일 CPUㆍCMOS 이미지센서ㆍSoC(시스템온칩) 등 4개 제품도 세계 1위로 육성, 명실상부한 세계 최고의 반도체 회사로 성장해 나갈 것”이라고 말했다.
이진우기자 rain@sed.co.kr
입력시간 : 2004-09-20 17:35
