삼성전자 모든 D램 '나노공정 시대'

삼성전자가 반도체 D램 제품군 전체에 대해 세계최초로 ‘나노공정 시대’를 열었다. 삼성전자는 10일 “512Mb(메가비트) 모바일 D램에 90나노 공정을 적용시켜 양산에 돌입했다”고 밝혔다. 이로써 삼성전자는 DDR, DDR2, 그래픽 D램에 이어 모바일 D램까지 모든 D램에 대해 나노급 공정을 적용하게 됐다. 90나노 공정은 반도체 칩내의 회선간격을 머리카락 굵기의 1,250분의 1로 줄인 것으로 기존 공정보다 1개의 웨이퍼 안에서 40% 이상 많은 칩을 생산할 수 있다. 기존 반도체 생산은 100나노(0.1마이크론) 110나노(0.11마이크론) 공정으로 실질적인 나노공정은 아니었다. 이번에 90나노 공정에서 생산하는 512Mb 모바일 D램은 지난 1월 개발됐으며 계 최고 속도(초당 1.3GByte)와 최대 용량(512Mb)을 갖추고 있다. 초소형ㆍ저전력을 장점으로 주로 휴대폰 등 모바일 기기에 사용됐으며 최근에는 최근에는 휴대용 게임기, 디지털카메라, PDA 등의 시장 확대로 모바일 D램 시장의 수요가 급성장세를 보이고 있다. 실제 시장조사기관인 데이터퀘스트에 따르면 모바일 D램은 고성능 3G 휴대폰 시장이 확대로 연평균 125%의 성장률을 보일 것으로 예상되고 있다. 삼성전자는 급성장하는 모바일 D랜 수요에 맞춰 512Mb 모바일 D램을 2개 적층한 1Gb 모바일 D램도 생산, 모바일 기기의 성능을 대폭 향상시킬 전망이다. 한편 삼성전자는 2003년 세계 최초로 90나노 공정을 낸드플래시 양산에 적용시킨데 이어 지난 달에는 70나노 공정 D램 개발에도 성공해 전세계 초 미세 D램 공정기술을 선도하고 있다.