삼성전자는 차세대메모리 반도체의 하나인 P램을 세계 최초로 개발했다.
P램은 D램의 휘발성과 집적도의 한계를 극복하기 위해 기억소자를 기존 실리콘 대신 비휘발성 상(相)변화물질을 이용한 신개념 메모리반도체다.
삼성전자는 일본 교토에서 개최되고 있는 `VLSI심포지엄`에서
▲CMOS P램(Phase-change RAM)
▲90나노 NOR 플래시메모리
▲90나노 S램
▲65나노급 SoC 요소공정기술 등 논문 22편을 발표했다고 10일 밝혔다. VLSI심포지엄은 국제적 권위를 인정받고 있는 세계 3대 반도체 학술대회 중 하나라고 삼성측은 설명했다.
<문성진기자 hnsj@sed.co.kr>
