하이닉스반도체는 반도체 회로선의 폭을 80nm(나노미터ㆍ1nm는 10억분의 1m)로 만든 512메가비트(Mb) D램 반도체 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.
하이닉스는 이같은 80나노 공정을 적용하면 기존의 90나노 제품때보다 생산성이 50% 향상된다고 설명했다.
하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 80나노급 DDR2 D램 제품에 대해 미국 인텔의 인증을 획득한 데 이어 80나노 제품의 성공적인 양산에 따라 향후 60나노급 기술 선점에도 한층 탄력을 받을 것으로 보인다.
아울러 이번 80나노 제품 개발은 하이닉스의 개발 및 양산 프로세스 혁신 측면에서도 새로운 모델을 제시한 것이어서 주목받고 있다.
하이닉스 반도체연구소장인 박성욱 전무는 "기존에는 연구개발과 양산 시스템이 사실상 분리돼 있어 개발부터 양산까지 시간이 많이 걸렸는데, 이번부터 개발과 양산을 유기적으로 연계함에 따라 기간 단축은 물론 생산라인의 수율도 조기에 확보할수 있게 됐다"고 말했다.
