이번 공정기술은 메모리 칩 내부의 셀에 고(高)유전체 물질인 탄탈륨 질산화막을 증착시켜 축전을 형성하는 기술로 메모리 칩이 급격히 고집적화함에 따라 고용량의 전하 보전이 요구되는 상황에서 이를 만족시킬 수 있는 핵심기술이다.현대전자가 개발한 이번 공정 기술은 0.15미크론 이하 미세 가공이 요구되는 256메가D램을 비롯해 0.13미크론 이하 초미세회로 기술이 요구되는 차세대 512메가D램 또는 1기가D램 제품의 양산에 적용될 것으로 전망된다.
현대전자 관계자는 『이번에 개발된 공정기술은 기존 공정에 비해 30%이상 제조공정을 축소시키는 효과가 있다』며 『제조원가 절감 효과는 물론 최소 5,000만달러 이상의 생산시설 투자 절감 효과가 기대된다』고 말했다.
김형기기자KKIM@SED.CO.KR
