4일 삼성전자에 따르면 지식경제부는 삼성전자의 중국내 반도체 공장 설립을 위한 10나노급 낸드 플래시 국가핵심기술 수출 신고를 이날 수리했다. 이에 따라 삼성전자는 상반기내 인허가 등 관련 절차를 마치고 착공에 들어가 내년 하반기 제품을 양산할 계획이다. 삼성전자는 현재 중국 베이징 등 여러 곳을 부지 후보로 검토 중이다.
앞서 삼성전자는 지난달 6일 중국에 MP3, 휴대전화 등에 사용되는 메모리 카드용 낸드 소자 생산 설비를 건설한다는 내용의 신청서를 지경부에 제출했다. 월 생산규모는 12인치 웨이퍼 10만장이다.
이와 관련, 지경부는 전기전자 분야 산업기술보호 전문위원회를 두 차례 열어 중국 진출 필요성과 기술유출 가능성 등을 종합적으로 검토해 신청서를 수리했다. 지경부는 허가 조건으로 국가핵심기술의 불법 유출을 방지하기 위해 삼성전자가 기술보호대책을 수립·운영하도록 하고, 정부가 정기적인 운영실태 점검과 보안 컨설팅을 하기로 했다.
이번 결정에 맞춰 삼성전자는 중국 투자시 국산장비 활용률을 현 수준 이상으로 유지하기로 했으며, 국내에서도 화성 단지 외에 평택 단지를 확보해 메모리 분야 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야 투자도 확대하기로 했다. 아울러 국내 인력 양성을 전략적으로 추진하는 등 앞으로 국내 반도체 산업을 지속적으로 고도화해 나갈 방침이다.
