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삼성전자가 ‘20나노 8기가 DDR4(Double Data Rate 4) 서버 D램’ 양산에 성공하면서 PC-모바일-서버 용 20나노 D램 풀라인업을 구축했다고 21일 밝혔다.
‘20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램’은 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞추어 양산을 시작했다. 20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2,400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.
기존 4기가 비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능했지만 이번 8기가비트 D램과 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단실리콘관통전극(TSV)기술을 접목해 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 “이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 ‘고성능, 고용량, 저전력’ 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했다./SEN TV 보도팀
