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하이닉스반도체가 1년 만에 흑자전환에 성공한 것은 반도체 업황 개선과 자체적인 경쟁력 향상이라는 두 박자가 맞아떨어진 결과다. 침체 국면에서도 연구개발(R&D)을 꾸준히 지속하고 고부가가치 제품 비중을 늘리며 수익성을 높여온 것이 호황기를 맞아 결실을 맺은 것으로 분석된다. 하이닉스는 지난 2008년과 2009년에 각각 7,000억원 이상을 R&D에 투자하는 등 업계 최고 수준의 적극적인 기술 및 제품개발 노력을 기울여왔다. 이에 따라 D램의 경우 지난해 말 기준 54나노 D램 생산비중이 60% 이상으로 증가했으며 44나노 제품도 지난해 말부터 양산을 시작해 후발업체와의 기술 격차를 더욱 확대할 수 있게 됐다. 특히 메인 메모리의 경우 올해 1ㆍ4분기 중 DDR3 제품이 DDR2 비중을 넘어서며 주력 제품이 될 것으로 전망된다. 하이닉스는 DDR3 제품이 지난해 말 기준으로 메인 메모리 D램 생산 비중의 50%를 차지했으며 올해 말까지 80% 이상으로 비중을 확대할 계획이다. 또 모바일ㆍ그래픽ㆍ서버용 D램 등 고부가가치 제품의 매출 비중도 크게 늘렸다. 지난해 이들 제품이 D램 매출에서 차지하는 비중은 53%로 2008년의 44%에 비해 9%포인트 증가했다. 이 때문에 하이닉스의 수익성이 크게 높아졌을 뿐 아니라 제품 포트폴리오가 안정적으로 다변화해 시장 변동에 따른 영향을 최소화할 수 있게 됐다. 낸드플래시 부문에서도 지난해 말 개발이 완료된 32나노 제품으로 빠르게 전환하면서 원가경쟁력을 강화하고 올해 안에 26나노 제품을 조기에 개발, 양산에 착수하면서 선두업체와의 격차를 거의 해소할 수 있을 것으로 전망된다.
