삼성전자는 회로선폭 0.15미크론의 초미세 공정기술을 적용한 고성능 512메가 플래시메모리 반도체의 양산에 들어간다고 4일 발표했다.이 제품은 휴대정보기기의 대용량ㆍ초고속 데이터 이용 증가에 따른 플래시메모리 수요를 충족시키기 위한 것으로 MP3플레이어ㆍ디지털카메라ㆍ노트북ㆍ개인휴대단말기(PDA) 등의 핵심 메모리로 공급될 예정이다.
삼성전자는 이번 제품에 처리속도를 향상시키는 신기술을 적용했으며 256메가 양산이후 6개월만에 차세대 양산시스템을 구축, 공정수를 10% 정도 줄여 원가를 절감하게 됐다고 밝혔다.
삼성전자는 연평균 72%의 고성장이 예상되는 NAND형(데이터저장용) 플래시메모리를 지난해 3,800만개 생산한 데 이어 올해는 1억4,300만개로 생산규모를 늘려 세계시장의 35%를 점유한다는 계획이다.
조영주기자
