삼성전자는 세계 최초로 40나노급 공정을 이용한 '4Gb(기가비트) DDR3 D램'을 이달부터 양산한다고 24일 밝혔다.
삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 4Gb DDR3 D램을 개발했으며 지난해 7월 40나노급 공정 기술을 개발한 데 따라 이번에 40나노급 최신 공정을 적용해 이 제품의 양산에 들어가게 됐다.
삼성전자는 4Gb DDR3 D램으로 기존 제품보다 용량이 두 배로 늘어난 대용량 메모리 모듈 제품을 공급하게 된다. 대표적인 제품은 서버용 32GB(기가바이트) 및 16GB 모듈과 워크스테이션ㆍ데스크톱ㆍ노트북 PC용 8GB 모듈 등이다.
지난해 7월 양산이 시작된 40나노급 '2Gb DDR3 D램'으로는 최대 16GB 용량의 모듈 제품을 공급했지만 이번에 4Gb 제품을 양산하면서 업계에서 처음으로 최대 32GB 용량 모듈을 공급하게 된다. 또 4GB에서부터 32GB까지 폭넓은 제품 라인업 구축이 가능해진다.
이에 따라 대용량 메모리가 필요한 서버업체들은 초기에 최소 비용으로 적정용량 메모리를 탑재한 후 필요할 때마다 메모리 용량을 늘릴 수 있게 됐다.
또 프리미엄급 노트북에도 8GB 모듈을 이용하면 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해져 그래픽이나 멀티미디어 작업 등을 하는 개인들이 선호할 것으로 보인다.
이와 함께 4Gb DDR3 D램을 탑재한 모듈은 기존 동일 용량 모듈에 비해 소비 전력이 35%가량 절감된다는 점도 장점으로 꼽힌다. 또 대규모로 전력을 소비하는 데이터 센터에서 공조시스템을 포함한 전체 소비전력을 추가로 10% 정도 더 절감할 수 있다.
전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장(부사장)은 "4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현해 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버뿐 아니라 PC에도 고성능ㆍ저전력 메모리 솔루션을 제공하게 됐다는 점에서 의의가 크다"고 말했다.
한편 삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산을 계기로 40나노급 DDR D램 비중을 늘려 서버 및 PC용으로 공급하는 D램 가운데 40나노급 제품 비중을 상반기에 90% 이상으로 끌어올릴 계획이다.
