삼성전자, 美 반도체 2라인 준공

릭 페리(왼쪽 다섯번째부터) 텍사스 주지사, 윤종용 삼성전자 부회장, 윌 윈 오스틴 시장, 황창규 삼성전자 사장 등이 14일 미국 텍사스주 오스틴에서 열린 300㎜ 반도체 생산라인 준공식에서 기념테이프를 자르고 있다.

삼성전자가 미국 텍사스 오스틴 반도체 공장에 첨단 300㎜ 반도체 생산라인을 준공했다. 삼성전자는 14일(현지시간) 오스틴 반도체 생산단지(SAS)에서 300㎜(12인치) 웨이퍼 2라인(SAS Fab2) 준공 기념식을 열고 하반기부터 본격적인 양산에 들어간다고 15일 밝혔다. 삼성이 해외에서 300㎜ 반도체 생산라인을 가동하는 것은 이번이 처음이다. 2라인은 주로 50나노 공정의 16기가 낸드플래시를 생산해 북미지역에 판매하며 내년까지 35억달러를 투자해 현재 월 2만장의 생산규모를 점차 늘려나갈 계획이다. 윤종용 부회장은 이날 준공식에서“이번 생산라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보하고 거래선과의 신뢰 및 우호관계를 한층 강화할 수 있게 됐다”고 밝혔다. 회사 측은 앞으로 기존 200㎜ 라인의 경우 D램 생산에 주력하고 300㎜ 라인에서는 낸드플래시를 비롯한 차세대 메모리 생산을 강화할 계획이다. 회사의 한 관계자는“오스틴 생산라인 준공을 계기로 기흥ㆍ화성단지를 최첨단 반도체 생산 및 연구개발(R&D) 메카로, 중국 쑤저우 단지를 조립ㆍ패키지 거점으로 집중 육성할 것”이라며“아시아~미주 대륙을 잇는 글로벌 반도체 생산체제를 한층 강화할 수 있게 됐다”고 설명했다.