하이닉스반도체가 60나노 공정을 적용한 1GB급 DDR2 메모리 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.
이번에 개발된 1GB DDR2 모듈은 업계 최고속인 800㎒와 667㎒의 동작속도를 구현할 수 있는 제품으로 초고속 데이터 전송이 가능하며 기존 80나노에 비해 생산성을 50%나 높일 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 것이라고 하이닉스는 설명했다.
하이닉스는 1GB DDR2 모듈을 내년 상반기부터 대량 생산할 예정이며 최고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램에 확대 적용할 계획이다.
홍성주 하이닉스반도체 개발생산총괄 상무는 “첨단 기술을 통해 회로가 극미세화되더라도 안정적으로 동작할 수 있어 공정 축소에 따른 제품의 신뢰성 획득의 어려움도 해결했다”고 말했다.
한편 하이닉스는 지난 10월 60나노급 D램 제품에 대해 인텔 인증을 받은 데 이어 이번에 개발한 모듈 제품도 인텔의 인증과정인 AVL(Advanced Validation Lab)의 테스트를 통과했다.
