사업 기간은 총 2년으로 정부로부터 약 4억 원의 연구비를 지원받게 된다.
이번에 지원 대상으로 선정된 쎄미시스코의 연구 과제는 ‘실리콘 관통 전극 TSV(Through Silicon Via) 고속 깊이 측정장비 개발 사업’이다. TSV기술은 칩에 작은 구멍을 뚫어 여기에 금속을 충전함으로써 샌드위치 형태로 쌓아 올린 복수의 칩을 전기적으로 접속하는 3차원 기술이다.
이는 기존 복수의 칩을 와이어본딩 방식으로 접속하는 종래의 방식에 비해 배선의 거리를 크게 단축시켜 고성능, 저전력, 고집적화의 장점을 제공하기 때문에 최근 반도체 업계의 차세대 패키징 기술로 개발이 한창 진행중이다. 특히, 스마트기기에 적용할 경우 배터리 전력소모 문제를 어느 정도 해결할 수 있을 것으로 보여 향후 스마트폰 및 모바일 기기에 사용되는 반도체 칩은 대부분 TSV기술을 이용한 칩 적층 방법이 사용될 것으로 예상된다.
쎄미시스코는 지난 해 2월 표준과학연구원으로부터 실리콘 관통 전극 TSV 기술을 이전 받아 이를 활용한 장비 개발이 진행 중이고, 이를 통해 반도체 공정의 원가절감 효과와 사업성이 우수하다는 점 등을 인정 받아 지원 대상 기업으로 선정 되었다.
이순종 대표는 “TSV 기술이 앞으로 반도체 칩 양산의 새로운 형태로 자리잡을 것으로 예상된다”며 “TSV 기술이 아직 개발 초기 단계인 만큼 이번 정부 지원을 바탕으로 적극적으로 기술 개발에 힘써 새로운 시장을 준비하는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.
