하이닉스반도체는 30나노급 기술을 적용한 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. 또 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1ㆍ4분기 양산에 들어간다고 덧붙였다.
이번에 개발된 30나노급 4기가비트 DDR3 D램은 대용량 프리미엄 서버와 고사양 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품이다. 하이닉스는 향후 이 제품으로 프리미엄 제품 시장을 선점한다는 계획이다.
30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다. 또 최대 2,133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1,333Mbps 제품 대비 처리속도가 60%가량 빨라졌다. 아울러 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용, 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.
하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO)인 박성욱 부사장은 "하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50%가량을 2기가비트 제품으로 생산하고 있으며 향후 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해나갈 것"이라고 말했다.
한편 시장조사기관 아이서플라이는 2기가비트 D램 비중이 올 4ㆍ4분기 현재 30% 수준에서 오는 2011년 3ㆍ4분기에 50%를 넘어설 것으로 전망했다. 또 4기가비트 D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 내다봤다.
