현대전자(대표 김영환·金榮煥)는 28일 지금까지 개발된 복합칩 제조기술 가운데 가장 미세한 회로선폭기술을 적용한 첨단 주문형 메모리 복합칩의 제2세대 제조기술을 개발했다고 발표했다.
이번에 개발된 회로선폭 0.21㎛(1미크론은 100만분의1ｍ)의 제조기술을 적용하면 한 개의 칩에 최대 128메가D램과 고성능 로직 트랜지스터를 동시에 내장한 복합칩 을 제조할 수 있다.
이 기술은 또 기존의 D램공정과 호환할 수 있어 추가투자를 최소화할 수 있고 웨이퍼당 생산량도 기존 0.35㎛ 기술보다 2배 이상 늘릴 수 있다. 현재 복합칩 회로선폭 기술은 독일의 지멘스가 0.25, 삼성전자와 도시바가 0.25㎛급 기술을 개발한 상태다.
메모리 복합칩은 비메모리칩의 일종인 로직칩과 메모리칩이 따로 존재할 경우 단점인 입출력단수의 제한과 잡음, 전력소모 등을 극복하기 위해 개발된 기술로 향후 여러개의 서로 다른 칩으로 구성된 시스템을 한개의 칩으로 집적한 `시스템 온칩'에 적용할 수 있는 기반기술이다.
현대전자는 지난해말 24메가급 0.35㎛ 복합칩 기술 개발에 이어 8개월만에 개발에 성공한 0.21㎛ 복합칩을 내년 상반기중 양산에 들어간 뒤 내년중 이 기술을 응용한 S램 복합칩을 선보이고 2000년까지 0.15㎛ 기술을 적용한 「시스템 온 칩」제조 및 설계기술을 개발할 계획이라고 밝혔다.【권구찬 기자】
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