50나노미터(nm) 이하 선폭의 반도체 소자를 제작할 수 있는 식각(에칭) 기술과 장치가 국내 연구진에 의해 개발됐다. 현재까지 개발된 나노소자 식각기술은 30나노미터 정도가 최고 수준이다.
테라급나노소자개발사업단(단장 이조원 박사)의 염근영 교수 연구팀은 중성빔을 이용,세계 처음으로 소자를 전혀 손상시키지 않으면서 50nm 선폭이하까지 식각이 가능한 장치와 공정기술을 개발했다고 29일 밝혔다.
지금까지 반도체 소자의 식각공정은 플라즈마를 이용한 건식식각과 화학용액을 이용한 습식시각 기술이 사용되고 있다. 특히 정교한 미세 선폭의 공정에는 플라즈마 식각이 주로 사용되고 있다. 그러나 준 중성상태로 이온화된 가스인 플라즈마는 식각공정 때 소자에 전기적ㆍ물리적 손상을 입힌다. 나노소자급으로 갈수록 선폭이 좁아져 이러한 손상은 큰 문제가 되는데 염 교수팀이 개발한 장치와 공정기술은 중성빔을 이용, 소자에 손상을 전혀 입히지 않고 소자를 식각할 수 있다.
<조충제기자 cjcho@sed.co.kr>
