삼성전자 메모리 신규라인 건설에 6.369억 투자
낸드 플래시 등
김현수 기자 hskim@sed.co.kr
삼성전자가 모바일기기 핵심저장장치로 수요가 급증하고 있는 낸드플래시 전용 라인 건설에 본격 돌입했다.
삼성전자는 21일 메모리 수요 증가에 대비해 경기도 화성에 신규라인 건설을 위해 6,369억원을 투자한다고 밝혔다. 신규 투자재원은 자기자본으로 조달할 계획이며 생산제품은 낸드플래시와 D램 등 메모리이다.
삼성전자의 한 관계자는 "이번에 투입되는 6,369억원은 낸드플래시 전용 라인으로 설계된 화성 15라인의 골조와 클린룸 등을 건설하기 위한 기초투자"라며 "라인 설비 등에 대한 투자는 추후 생산규모에 따라 결정될 것"이라고 말했다. 15라인은 화성2단지(29만평)의 투자를 본격화하는 것으로 2조원 이상 투자될 것으로 예상된다.
삼성전자는 내년 5월부터는 R&D 전용 라인인 NRD라인을 본격 가동하고 상반기 건물 건설을 완료한 후 4ㆍ4분기께 생산에 들어갈 예정이다. NRD라인은 4기가비트(Gb) 및 8Gb 용량의 대용량 D램과 32Gb 및 64Gb 이상의 낸드플래시 등을 개발, 첨단 나노기술 시대의 허브로 집중 육성할 계획이다.
삼성전자 화성 15라인이 주목받는 것은 삼성전자 라인 중 첫 낸드플래시 전용 라인으로 건설된다는 점 때문이다.
삼성전자는 낸드플래시 매출이 지난해 41억달러에서 100억달러로 껑충 뛸 것으로 예상하며 지난해부터 D램과 S램을 생산하던 8라인의 절반을 낸드플래시로 바꿨고 기존 기흥사업장의 D램 반도체 생산 9라인을 내년부터는 낸드플래시 전용 라인으로 전환하기로 결정했다.
낸드플래시 메모리는 정보의 입출력이 자유롭고 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 반도체 기억장치로 디지털카메라ㆍMP3플레이어ㆍ휴대전화ㆍ게임기 등 모바일기기 시장이 커지면서 수요도 빠른 속도로 늘어나고 있다.
입력시간 : 2005/11/21 17:17
