주요 업체 10나노급 D램 양산 일정삼성전자가 업계 최초로 내년 하반기 15나노 D램을 양산하며 메모리 반도체 시장을 더욱 확고히 장악할 것으로 기대된다. 이는 삼성전자가 당초 세웠던 기술 개발 청사진보다 더 빠른 것으로 10나노급 첨단 D램을 주력으로 끌어올려 경쟁사와의 격차를 완벽하게 벌리겠다는 의도로 풀이된다.
삼성전자의 이 같은 행보에 SK하이닉스 등의 기술 개발 속도도 한층 빨라질 것으로 예상된다.
30일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 부품(DS) 부문 메모리사업부는 ‘1y(10나노 중반대) 제품’으로 알려진 차세대 16~15나노미터(nm·1nm는 10억분의1m) D램의 개발을 서둘러 내년 하반기쯤 양산을 발표할 예정이다.
또 현재 생산하는 18나노 D램의 램프업(양산 증대)을 지속해 내년 하반기까지 전체 D램 생산량 가운데 30~40%를 채운다는 목표도 세웠다. 반도체 업계의 한 관계자는 “계획대로라면 삼성전자가 만드는 D램 물량 가운데 절반 가까이 10나노급이 차지해 10나노 D램의 주력화가 이뤄진다”고 설명했다. 시장조사기관 D램익스체인지는 현재 삼성전자가 생산하는 D램의 약 82%가 20나노이며 18나노 D램의 비중은 12%라고 추산한다.
10나노급 D램은 회로 선폭을 10~19nm까지 좁힐 정도의 미세 공정으로 만든 반도체다.
숫자가 작을수록 데이터 처리 속도, 집적도 등 반도체 성능이 전방위로 향상되며 원자재(웨이퍼) 한 단위당 생산할 수 있는 양도 많아진다. 물론 그만큼 미세 공정 기술은 개발도 어렵고 비용도 갈수록 급증하고 있다.
삼성전자의 D램 공정 미세화는 원래 계획보다도 빠르게 진행되고 있다. 정은승 삼성전자 DS 부문 반도체연구소장(부사장)은 지난해 초 “2020년에 10나노 초반대 D램을 양산하겠다”는 청사진을 제시했지만 지금 속도대로라면 그 시점이 2019년 초가 될 수도 있다. 이미 삼성전자는 올 초 18나노 D램 양산을 개시했고 내년 하반기 16~15나노 D램을 생산할 준비를 하고 있기 때문이다.
삼성전자는 가장 앞선 공정 미세화 기술을 앞세워 전세계 D램 시장에서 독보적 1위를 이어가고 있다. 시장조사기관 IHS의 자료를 보면 올해 2·4분기 기준 삼성전자의 D램 시장 점유율은 46.6%에 이른다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사는 아직 20나노급 D램이 주력 제품이며 내년 2·4분기 이후로 18나노 D램을 생산한다는 계획이다. 반도체 업계는 삼성전자와 나머지 업체들의 기술 격차를 1년~1년6개월 정도로 본다.
이 밖에도 업계는 올 하반기부터 내년에 걸쳐 반도체 수요가 견조하게 늘 것으로 기대되면서 삼성전자의 반도체 실적에도 청신호가 켜졌다고 내다보고 있다.
