서울시립대, 학·석사 연계과정 성과 달성

서울시립대학교 전자전기컴퓨터공학가 ‘학·석사 연계과’정을 통해 최근 미국의 명문대학 진학 등 우수한 연구성과를 달성했다고 29일 밝혔다. 학·석사 연계과정은 대학원 진학을 희망하는 학부생에게 최저 5년(학사 3.5년, 석사 1.5년) 내에 학·석사학위를 취득하도록 지원하는 제도다.

조재성 서울시립대 전자전기컴퓨터공학과 학생은 차세대 저전력 반도체 소자인 ‘음의 전기용량(Negative Capacitance)FET’ 소자를 연구해 국제저명학술지인 미국 화학회(ACS)의 ‘나노 레터스지(Nano Letters)’ 등 국내외 학회에 8편을 발표됐다. 조씨는 미국 유씨버클리대학의 초청으로 방문연구원으로 활동하기도 했다.



같은과 오상헌 학생은 최신 반도체 소자들의 공정과정에서 기인한 임의변화에 의한 소자의 성능변화 연구를 진행하고 있다. 오씨는 삼성전자 시스템LSI사업부의 지도로 일본 물리학회에서 발행하는 ‘응용물리학회지(Japanese Journal of Applied Physics)‘ 등 국제학술지에 주저자로 4편을 발표했다. 오씨는 미국 캘리포니아샌디애고대학에 진학 예정이다.