[시그널] 반도체 제조社 RFHIC, 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료

무선통신 장비용 반도체 기업 알에프에이치아이씨(RFHIC(218410))가 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 트랜지스터 개발을 완료했다고 18일 밝혔다.

질화갈륨(GaN)은 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고, 스위칭 속도가 빨라 효율이 좋으며, 전력소비량이 적은 반도체 소재로 평가받고 있다. 이 회사는 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비 등 여러 제품에 적용할 예정이다.



특히 이번에 공개된 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터는 기존 제품에 비해 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높으며, 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현한다. 이달에는 미국 보스턴에서 열린 IEEE IMS 2019에서 질화갈륨 다이아몬드 웨이퍼 성능을 실현해 높은 평가를 받기도 했다.

조삼열 회장은 “내년부터 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 대량 생산할 것”이라며 “이를 5G 무선통신 및 방산분야, 더 나아가서 의료장비 등에 적용할 계획”이라고 밝혔다.