SK하이닉스가 개발한 512Gb 176단 4D 낸드플래시./사진제공=SK하이닉스SK하이닉스(000660)가 업계 최고층인 176단 4D 낸드플래시를 개발했다. 미국 메모리 반도체 기업 마이크론테크놀로지에 이어 두 번째다.
SK하이닉스는 512Gb(기가비트) 용량의 176단 TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시 개발을 완료하고 지난달 샘플 제품을 컨트롤러 업체에 공급했다고 7일 밝혔다.
신제품의 실제 양산 시점은 내년 중반으로 계획하고 있다. SK하이닉스는 내년 중반께 최대 읽기 속도가 70％ 향상되고 최대 쓰기 속도는 약 35％ 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD), 기업용 SSD 등을 순차적으로 출시해 응용처별 시장을 확대할 예정이다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 기본 저장 단위인 ‘셀’을 많이 쌓아 올릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 늘어나지만 셀 내부의 전류 감소와 층간 비틀림, 상하 적층 정렬 불량 등의 문제가 발생하게 된다.
SK하이닉스는 셀 층간 높이 감소 기술과 층별 변동 타이밍 제어 기술, 초정밀 정렬 보정 기술 등을 적용해 업계 최고 수준인 176단 낸드를 개발했다고 설명했다.
SK하이닉스가 이번에 개발한 176단 낸드는 업계 최고 수준의 웨이퍼당 생산 칩 수를 확보해 이전 세대인 128단 제품보다 비트 생산성을 35％ 이상 향상해 원가 경쟁력을 높였다.
또 ‘2분할 셀 영역 선택 기술’을 새롭게 적용해 셀에서의 읽기 속도가 이전 세대보다 20％ 빨라졌고 데이터 전송 속도는 33％ 개선된 초당 1.6Gb를 구현했다.
SK하이닉스는 176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1Tb(테라비트) 제품을 연속해서 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나갈 방침이다.
SK하이닉스에 앞서 미국 마이크론테크놀로지는 지난달 세계 최초로 176단 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다. 글로벌 낸드 점유율 1위인 삼성전자도 종전 128단을 넘어서는 ‘7세대 V낸드’ 개발을 진행하고 있으며 양산 시점은 내년으로 예정돼 있다.
