삼성전자가 200단 이상 8세대 V낸드 개발이 이미 상당히 진행된 상황임을 시사했다. 그러면서 일각에서 제기된 메모리 반도체 기술경쟁력 저하에 대한 우려를 반박했다.
한진만 삼성전자 메모리 담당 부사장은 29일 2분기 실적발표 이후 진행한 콘퍼런스콜에서 "낸드의 경우 2022년까지 176단 6, 7세대가 중심이 될 것이고 이후 10년 뒤까지 기술 로드맵이 짜져 있다"며 "더블스택에서 절대적으로 가격 경쟁력이 기대되는 200단 이상 8세대 V낸드는 동작 칩을 이미 확보해서 라인업 확대를 준비하고 있다"고 소개했다.
이와 관련 삼성전자는 올해 하반기에 176단 V낸드 기술을 적용한 대용량 멀티태스크 소비자용 SSD를 처음 출시한다.
한 부사장은 아울러 "삼성은 싱글스택 방식으로 128단을 올리며 업계 최고의 에칭기술을 확보했고, 지금은 이를 어떻게 효율적으로 쌓아 올릴 것인지 시점과 방법에 대한 고민이 더 중요해졌다"며 "달리 말하면 이제는 단수에만 집중하기보다 그렇게 쌓은 높이가 효율성 측면이나 원가 측면에서 얼마나 경쟁력이 있는 것인가가 삼성이 현재 집중하고 있는 포인트"라고 말했다.
이는 낸드 경쟁력과 관련해 단순한 단수 쌓기 경쟁을 떠나 수율, 효율성, 경제성 등이 더 중요하다는 뜻으로 풀이된다. 미국 마이크론이 176단 낸드를 먼저 개발하면서 삼성전자의 낸드 기술 경쟁력이 밀리고 있는 것 아니냐는 우려에 대한 반박으로도 보인다.
한 부사장은 DDR5 등 D램 원가경쟁력에 대해서도 "D램이 세대가 거듭되고 공정 미세화가 진행되면서 원가 절감의 난이도가 높아지는 게 사실"이라며 "다만 원가경쟁력 확보를 위해 일차적으로 적용된 기술을 무조건 적용하는 게 아니라 효율성 측면을 면밀히 검토해 최종적으로 채용하게 될 것"이라고 말했다.
그러면서 "앞으로 선보일 14나노 기반의 DDR5 제품은 EUV를 적용해 전체 공정이 감소하면서 원가를 줄이는 구조"라며 "DDR5는 14나노부터 가격 경쟁력이 확보될 것이며 내년부터 수익성도 개선될 것"이라고 말했다.
삼성전자는 또 하반기 파운드리 부문에서는 평택 S5 라인의 공급을 확대한다. 이는 평택 2공장(P2) 파운드리 라인을 뜻한다. 삼성전자는 이미 평택 S5 파인에서 상당한 고객사를 확보한 것으로 전해졌다. 한승훈 파운드리 사업부 전무는 “하반기에 5나노 2세대와 4나노 1세대 제품의 본격 양산에 들어가 선단공정 칩 공급을 확대할 것”이라며 “중장기 투자를 지속적으로 고려해 가격 전략을 수립하고, 고객 응용처도 다변화할 것"이라고 말했다.
