삼성전자 임직원들이 경기도 화성시 삼성전자 반도체 공장에서 3나노 반도체 양산 성공을 알리고 있다. 사진제공=삼성전자삼성전자(005930)가 세계에서 처음으로 3나노(㎚·10억분의 1m) 파운드리 제품 출하식을 열었다.
삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 라인인 V1에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
이 날 행사는 이창양 산업통상자원부 장관을 비롯해 협력사, 삼성전자 DS부문장 경계현 사장과 임직원 등 100여 명이 참석했다.
삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과 첨단 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다. 경 사장은 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “기존 핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표했다. 이 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”고 당부했다. 그는 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 덧붙였다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했다. GAA는 기존 핀펫 구조보다 트랜지스터 내 전류가 흐르는 통로가 많아져서 더 많은 데이터를 빠른 속도로 전달할 수 있는 것이 장점이다.
삼성전자는 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 공정 양산을 발표했다. 3나노 GAA 공정은 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용되고, 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
향후 삼성전자는 3나노 GAA 파운드리를 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
