예스티는 2011년 국내 최초로 웨이퍼 가압장비를 개발했으며, 지속적인 연구개발을 통해 관련 기술을 축적해 왔다. 현재 가압 열처리 장치, 공정처리용 챔버 장치, 반도체 부품용 듀얼 챔버장치 등 가압장비 분야에서 9개 핵심 특허기술을 보유하고 있으며, 2건의 특허를 출원해 심사 중으로 탄탄한 진입장벽을 구축하고 있다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 뒤 연결해 데이터 처리 용량과 속도를 일반 D램 대비 10배 이상 높인 첨단 메모리반도체다. HBM을 생산하기 위해서는 ?적층된 칩을 수직으로 관통하는 TSV(Through Silicon Via) 공정 ?칩과 칩을 접착하는 본딩 공정 ?본딩 후 사이 공간을 절연수지로 채우고 경화하는 언더필(Under Fill) 공정이 핵심으로 꼽힌다.
이중 언더필 공정은 적층된 칩을 충격, 온도변화, 습도, 먼지 등 외부 환경으로부터 손상을 예방할 뿐 아니라 다층 적층에 따른 Warpage(뒤틀림)도 방지해 HBM의 성능을 보호한다. 웨이퍼 가압 장비는 언더필 공정에서 칩과 칩 사이의 공간에 기포 등 불순물을 없애고 절연수지를 균일하게 경화시키는 역할을 한다.
예스티 관계자는 “챗GPT가 몰고 온 생성형AI 열풍으로 향후 HBM의 수요가 급증할 것으로 예상되고, HBM시장을 차지하기 위한 글로벌 반도체 회사들의 경쟁이 뜨겁다”라며 “예스티는 핵심 특허 기술을 기반으로 점차 고도화되고 있는 HBM생산시 적용가능한 차세대 웨이퍼 가압장비를 개발하고 있다”라고 말했다.
그는 이어 “이미 국내 굴지의 반도체 기업들에 300mm 사각챔버 웨이퍼 가압 장비 등을 PKG(Chip), WLP(Wafer), PLP(Panel)과 같은 다양한 공정에 총 21대 공급 바 있다”라며 “특히 웨이퍼 가압장비는 국내 반도체 기업이 HBM을 개발할 단계부터 공정장비로 사용해 HBM의 개발, 양산에 기여한 레퍼런스가 있어 글로벌 반도체 기업들이 투자를 확대할 경우 수혜가 예상된다”고 강조했다.
한편, 업계에서는 글로벌 HBM 반도체 시장의 점유율을 현재 SK하이닉스가 50%, 삼성전자가 40%, 마이크론이 10% 차지하고 있는 것으로 추정하고 있다.
