산업 산업일반

하이닉스 "20나노급 D램 하반기 개발"

권오철 사장

권오철 사장 기자간담회.. “인수희향 밝힌 곳은 없어” 하이닉스반도체가 올 하반기 20나노급 D램을 개발하는 등 세계 최고 수준의 기술력을 갖추겠다는 비전을 밝혔다. 권오철 하이닉스 사장은 27일 서울 여의도 63빌딩에서 열린 신년 기자간담회에서 “D램과 낸드플래시 등 주력 사업에서 해외 업체들을 따돌리겠다”며 이같이 밝혔다. 권 사장은 “D램은 올해 1분기에 30나노급 제품을 양산하고 하반기에는 20나노급 제품을 개발해 후발 업체와 격차를 벌릴 것”이라고 말했다. 이어 “낸드플래시는 26나노 제품을 양산 중인데 20나노 제품을 개발해 선두업체와 기술 격차를 완전히 해소하겠다”고 덧붙였다. 권 사장은 올해 1분기에 반도체 가격 하락에 따른 적자 가능성에 대해서는 “가격에 달려 있는 문제”라면서도 “적자가 나오지 않도록 할 수 있을 것 같다”고 답했다. 그는 이어 “고부가가치 제품군으로 가격 하락을 완충하고 있으며 어떤 불황에도 흑자를 낼 수 있는 체제를 갖추고자 한다”고 강조했다. 권 사장은 회사 매각 문제와 관련해서는 “아직까지 인수 의향을 밝힌 곳이 나타나지 않고 있다”며 “소유구조와 상관 없이 오래 가고 좋은 회사가 되도록 경영에 몰입하겠다”고 말했다. 청주와 중국 공장 증설에 대해서는 “현재로서는 계획하지 않고 있다”며 “시장 여건 등을 감안해 필요할 경우에는 검토할 수 있을 것”이라고 말했다.

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노희영 기자
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