삼성전자가 내년에 미국 텍사스주 오스틴소재 반도체 공장에 대해 6억달러규모의 2단계 투자를 단행한다. 삼성의 반도체 설비투자 결정은 세계 반도체 업체들이 최근 D램 가격 폭락으로 인한 채산성 악화로 투자를 중단하거나 아예 반도체사업에서 철수하는 등 구조조정이 진행되는 가운데 나온 것이어서 주목되고 있다.
삼성전자(대표 윤종용·尹鍾龍)는 15일 국제통화기금(IMF)한파와 D램 가격 하락으로 투자 보류된 미국 오스틴 반도체공장에 대한 2단계 투자를 결정, 내년 예산에 반영키로 했다고 밝혔다.
이에 따라 삼성전자는 내년중 6억달러를 투자해 오스틴에 8인치 웨이퍼(반도체 원료가 되는 원판)를 월 1만3,000장 생산할 수 있는 제 2라인을 건설할 예정이다. 이같은 웨이퍼 제조설비는 64메가 D램을 월 300만개정도 생산할 수 있는 규모다.
삼성전자 관계자는 『내년 하반기부터 반도체 시황이 회복세로 돌아설 것으
로 예상됨에 따라 투자보류된 오스틴공장에 두번째 라인을 건설키로 했다』며 『이미 건축공사가 마무리 됐기 때문에 이르면 2000년 초부터 가동에 들어갈 수 있을 것』이라고 밝혔다.
삼성전자가 오스틴공장에 대한 2단계 투자를 완료할 경우 국내 4개 라인과 미국 2개 라인 등 총 6개의 반도체 생산라인을 구축하게 된다.
오스틴 공장은 대지면적 22만평 규모로 삼성은 당초 13억달러를 투자, 2개 라인을 건설할 예정이었으나 지난 4월 1개 라인을 가동한 뒤 D램가격 하락과 IMF한파로 인한 자금난으로 2단계 투자를 보류했었다. 【권구찬 기자】
